【要闻】【领航新征程】中科大半导体量子芯片研究取得新突破

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记者昨天从中科大获悉，由该校郭光翠院士领导的中科院量子新闻要点实验室郭国平研究小组，最近在半导体量子点的研究上取得了新的突破，他们创新性地引入了第三量子点作为控制参数，在保证新型混合量子位相干性的基础上，提出了

由于固体系统的环境很多，量子比特的超高速控制和面部工作往往不能并存。 为了提高半导体芯片混合量子点的可控性，郭国平研究组将不对称思想应用于研究，将传统的双量子点结构扩展为线性组合三量子点系统。 他们通过理论计算分解发现，在中间量子点及其两侧量子点的耦合强度不对称的情况下，电子在二量子点中演化的能级结构可以通过第三量子点有效地间接控制。

在实验中，他们首先通过半导体纳米加工工艺精确制备了非对称耦合的三量子点结构，利用电子的原子壳结构填充原理，巧妙地解决了多电子能级结构多、杂波的难题，构建了具有准平行能级的混合量子位。 明确了在保证比特相干时间的情况下，通过调节第三个量子点的电极电压，可以在2~15千兆赫的范围内连续调整比特电平。

该成果发表在最新一期国际应用物理学顶级期刊《应用物理评论》上，为半导体量子计算提供了新的控制思路。 (记者李想)